Moj seznam želja
Vaš seznam želja je trenutno prazen. Prosimo dodajte izdelek na seznam želja.
Moja košarica
Vaša košarica je prazna.

MOSFET IXYS IXTN170P10P 1 P-kanal 890 W SOT-227B

Kataloška št.: 160804
Proiz. oznaka: IXTN170P10P | EAN: 2050001395481
MOSFET IXYS IXTN170P10P 1 P-kanal 890 W SOT-227B
€ 37,95
37.95
DDV je vključen Stroški pošiljanja


Dostava v 3 do 5 dneh

Dostava preko Pošte Slovenija
Zahtevajte ponudbo (RFQ) >>

Kos
BREZ POŠTNINE nad 80 Eur!

MOSFET

Dobava vključuje

  • MOSFET IXYS IXTN170P10P 1 P-kanal 890 W SOT-227B

Tehnični podatki

C(ISS)12600 pF
C(ISS) referenčna napetost25 V
Delovna temperatura (maks.) (štev.)+150 °C
Delovna temperatura (min.) (num)-55 °C
I(d)170 A
Izvedba (tranzistorji)P-Kanal
Kanali (število)1
Kratica proizvajalca (sestavni deli)IXY
Moč (maks.) P(TOT)890 W
Napetost prekinitve U(BR) (DSS)100 V
Način montažeOhišje
Ohišje (polprevodnikov)SOT-227B
ProizvajalecIXYS
Q(G)240 nC
Q(G) referenčna napetost10 V
R(DS) nazivni tok500 mA
R(DS) referenčna napetost10 V
R(DS)(on)12 mΩ
Serija (polprevodnikiPolarP™
U(DSS)100 V
U(GS) (th) referenčni tok maks.1 mA
U(GS)(th) maks.4 V
Vrsta (Vrsta proizvajalca)IXTN170P10P
Vrsta izdelkaMOSFET
Značilnost tranzistorjaStandardni

Kupci so iskali tudi:

IXYS, MOSFET tranzistorji, Tranzistorji z učinkom polja, MOSFET tranzistorji-Dodatki
Ocene izdelka MOSFET IXYS IXTN170P10P 1 P-kanal 890 W SOT-227B

Zapri
MOSFET IXYS IXTN170P10P 1 P-kanal 890 W SOT-227B