Name: Samsung 990 PRO 4 TB notranji M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 4.0 x4 trgovina na drobno MZ-V9P4T0BW
Brand: Samsung
SKU: 3123137
Availability: InStock

Črni Samsung V-NAND SSD 990 PRO s 4 TB kapaciteto za PCIe 4.0 NVMe M.2 vmesnik, položen.

Samsung SSD z različnimi certifikacijskimi logotipi in opozorilom o elektrostatični razelektritvi. Kapaciteta: 1 TB.

V-NAND SSD 990 PRO s 4 TB zmogljivostjo. Podpira PCIe 4.0 NVMe M.2 vmesnik. Izdelan pri Samsungu.

SSD-pomnilniška naprava Samsung z napisom 'V-NAND SSD 990 PRO, PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD, 4TB'.

Samsung 4TB 990 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD v embalaži. Nalepka z napisom 'Neverjetna hitrost, neomejena zmaga' in 'Bralna hitrost 7450 MB/s'.

SSD Samsung 990 PRO 4TB prikazan z embalažo. Besedilo na embalaži: 'Bliskovita hitrost, neskončna zmaga.' PCIe 4.0 NVMe M.2.

Samsung 990 PRO 4 TB notranji M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 4.0 x4 trgovina na drobno MZ-V9P4T0BW-6

1/7

Ean:

Koda proizvajalca:

Št. izdelka:

Dostava pet.,6.11.

8 kos - zaloga Nemčija

Število

kos - zaloga Nemčija

Skupaj (945,00 € / Kos)

945,00 €

z DDV

Samo 47,00 €

Na voljo samo 8 kos - zaloga Nemčija

Vključena je 14-dnevna politika vračila

Obrazec za prijavo nezakonite vsebine

Poudarki in podrobnosti

Samsung 990 PRO 4 TB notranji M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 4.0 x4 trgovina na drobno MZ-V9P4T0BW

Kapaciteta pomnilnika: 4 TB
PCIe® 4.0 NVMe™ SSD za vrhunsko igranje iger za konzolo in osebni računalnik
Visoke hitrosti branja do 7450 MB/s in pisalne hitrosti do 6900 MB/s
50 % izboljšana zmogljivost na vat v primerjavi z 980 PRO (prejšnji model)
Zaščita pred pregrevanjem zahvaljujoč Heat Spreaderju in Dynamic Thermal Guard
Primeren tudi za zahtevno urejanje videa in grafike
Podpira neposredno shranjevanje v sistemu Windows 11

Tehnične specifikacije

Vrsta izdelka: notranji M.2 PCIe NVMe SSD 2280

Serija: 990 PRO

Faktor oblike: M.2 modul 2280

Vmesnik: PCIe NVMe 4.0 x4

Kapaciteta pomnilnika: 4 TB

Branje: 7450 MB/s

Zapisovanje: 6900 MB/s

IOPS hitrost branja (maks.): 1400000 IOPS

IOPS hitrost zapisovanja (maks.): 1550000 IOPS

Značilnosti: primeren za PlayStation 5™

Gradbena višina: 2.3 mm

Širina: 22 mm

Višina: 2.3 mm

Globina: 80 mm

Izvedba: trgovina na drobno

Delovna temperatura (maks.): 70 °C

Delovna temperatura min.: 0 °C

Temperaturno območje delovanja: 0 do 70 °C

Barva: večbarvna

Zaslon (palec): 0 palec

Izgled tipkovnice: angleška, qwerty

Moč polnjenja (maks.): 7.5 W

Moč polnjenja (min.): 2.5 W

Teža: 5

UKCA: da

Dokumenti in prenosi

Navodila za uporabo in varnost

Navodila za uporabo in varnost 3123137 Samsung 990 PRO 4 TB notranji M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 4.0 x4 trgovina na drobno MZ-V9P4T0BW

Opis

Eksploziven tempo za intenzivno igranje
Odkrijte zmogljivo zmogljivost s PCIe® 4.0 in izkusite neverjetne hitrosti za spopadanje s konkurenco. Inteligentna regulacija toplote krmilnika Samsung ponuja visoko energetsko učinkovitost z dosledno visoko hitrostjo in zmogljivostjo. Nič torej ne ovira zabave pri igranju.

Besedilo je strojno prevedeno.

Izvedba

Povprečna poraba energije (delovanje)
*Povprečje: 5,4 W * Največ: 7,8 W (rafalni način) * Dejanska poraba energije se lahko razlikuje glede na sistemsko strojno opremo in konfiguracijo
Poraba energije (mirovanje)
Največ 50 mW * Dejanska poraba energije se lahko razlikuje glede na sistemsko strojno opremo in konfiguracijo
Obratovalna napetost
3,3 V ± 5 % dovoljene napetosti
Zanesljivost (MTBF)
1,5 milijona ur odpornosti (MTBF)
delovna temperatura
0 - 70 ℃ delovna temperatura
Odpornost na udarce
1500 G & 0,5 ms (pol sinusa)

Opis

Izvedba

Povprečna poraba energije (delovanje)
*Povprečje: 5,4 W * Največ: 7,8 W (rafalni način) * Dejanska poraba energije se lahko razlikuje glede na sistemsko strojno opremo in konfiguracijo
Poraba energije (mirovanje)
Največ 50 mW * Dejanska poraba energije se lahko razlikuje glede na sistemsko strojno opremo in konfiguracijo
Obratovalna napetost
3,3 V ± 5 % dovoljene napetosti
Zanesljivost (MTBF)
1,5 milijona ur odpornosti (MTBF)
delovna temperatura
0 - 70 ℃ delovna temperatura
Odpornost na udarce
1500 G & 0,5 ms (pol sinusa)