
Slika je simbolična
Slika je simbolična
4N35-000E
optokopler fototranzistor
DIP-6
Broadcom
BCL
1.2 V
60 mA
6 V
1
dc
tranzistor z osnovo
3550 V RMS
+100 °C
-55 °C
luknja za skoznik
1.5 V
3 µs
3 µs
100 mA
350 mW
30 V
100 %
10 mA
300 mV
100 mA
1 kos
DC-FotoTX-Koppler, enokanalni
4N35-000E
DIP 6
Tehnični podatki 140257 Broadcom optokopler fototranzistor 4N35-000E DIP-6 tranzistor z osnovo dc
Navodila za uporabo in varnost 140257 Broadcom optokopler fototranzistor 4N35-000E DIP-6 tranzistor z osnovo dc