Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
42 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
530 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
10
-
2,29 €
30
7% = 0,16 €
2,13 €
50
10% = 0,24 €
2,05 €
100
12% = 0,28 €
2,01 €
200
15% = 0,34 €
1,95 €
400
17% = 0,40 €
1,89 €
1000
21% = 0,47 €
1,82 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 10
Večkratni: 10
Skupaj (2,29 € / Kos)
22,90 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF3415PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
43 A
- U
150 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
42 mΩ
- R(DS) nazivni tok
22 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
200 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
2400 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
150 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220