Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
176 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
3,29 €
10
8% = 0,25 €
3,04 €
25
10% = 0,34 €
2,95 €
50
12% = 0,41 €
2,88 €
100
15% = 0,48 €
2,81 €
250
17% = 0,57 €
2,72 €
500
21% = 0,68 €
2,61 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (3,29 € / Kos)
3,29 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Power MOSFET, P-kanal
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF5210PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
40 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS) nazivni tok
24 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
100 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Izvedba
P-kanal
- Vrsta
IRF 5210
- Opis
-100 V/-35 A
- Ohišje
TO 220
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF 1 P-kanal 200 W TO-220