Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W TO-220AB
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
174 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
1,99 €
10
7% = 0,14 €
1,85 €
25
10% = 0,20 €
1,79 €
50
13% = 0,25 €
1,74 €
100
15% = 0,30 €
1,69 €
500
18% = 0,35 €
1,64 €
1000
21% = 0,41 €
1,58 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (1,99 € / Kos)
1,99 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W TO-220AB
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF5305PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
31 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS) nazivni tok
16 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
55 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W TO-220AB