Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-263-3
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
736 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
0,67 €
9
6% = 0,04 €
0,63 €
15
13% = 0,09 €
0,58 €
30
15% = 0,10 €
0,57 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (0,67 € / Kos)
2,01 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF630N
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-263-3
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
9.3 A
- U
200 V
- Moč (maks.) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS) nazivni tok
5.4 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
575 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
200 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Opis
Tranzistor MOSFET je napetostno nadzorovana komponenta in ga je mogoče neposredno priključiti na visokoodporne vire. Zato je primeren za uporabo kot stikalo ali analogni ojačevalnik. Opomba: Proizvajalec SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Besedilo je strojno prevedeno.
Besedilo je strojno prevedeno.
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF630N 1 N-kanal 82 W TO-263-3