Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal 2.0 W SO-8
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SO-8
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
43 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
5
-
1,07302 €
15
7% = 0,08 €
0,99737 €
25
10% = 0,11 €
0,96282 €
50
12% = 0,13 €
0,93986 €
100
15% = 0,16 €
0,91389 €
200
18% = 0,19 €
0,88513 €
500
21% = 0,22 €
0,85284 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 5
Skupaj (1,07302 € / Kos)
5,37 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF7103PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SO-8
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal 2.0 W SO-8
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal 2.0 W SO-8