Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-kanal 79 W TO-220
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
79 W
R(DS)(on)
200 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
85 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
1,49 €
9
7% = 0,11 €
1,38 €
15
10% = 0,15 €
1,34 €
30
12% = 0,18 €
1,31 €
60
15% = 0,22 €
1,27 €
120
17% = 0,26 €
1,23 €
300
21% = 0,31 €
1,18 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (1,49 € / Kos)
4,47 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Power MOSFET, P-kanal
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF9530NPBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
14 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
79 W
- R(DS)(on)
200 mΩ
- R(DS) nazivni tok
8.4 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
58 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
760 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
100 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Izvedba
P-kanal
- Vrsta
IRF 9530 N
- Opis
-100 V/ -12 A
- Ohišje
TO 220
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162536 Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-kanal 79 W TO-220
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162536 Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-kanal 79 W TO-220
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF9530NPBF 1 P-kanal 79 W TO-220