Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
3.3 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
165 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
3,79 €
10
7% = 0,28 €
3,51 €
25
11% = 0,40 €
3,39 €
50
12% = 0,47 €
3,32 €
100
15% = 0,56 €
3,23 €
250
17% = 0,65 €
3,14 €
500
21% = 0,78 €
3,01 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (3,79 € / Kos)
3,79 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFB3077PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
120 A
- U
75 V
- Moč (maks.) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
3.3 mΩ
- R(DS) nazivni tok
75 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
220 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
9400 pF
- C(ISS) referenčna napetost
50 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
75 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 160923 Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 160923 Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRFB3077PBF 1 N-kanal 370 W TO-220AB