
Slika je simbolična
Slika je simbolična
IRFP3710PBF
MOSFET
TO-247-3
Infineon Technologies
INF
N-kanal
57 A
100 V
200 W
25 mΩ
28 A
10 V
4 V
250 µA
190 nC
10 V
3000 pF
25 V
-55 °C
luknja za skoznik
HEXFET®
+175 °C
standardni
100 V
1
1 kos
Tehnični podatki 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247-3
Navodila za uporabo in varnost 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247-3