Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-252AA
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-252AA
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.039 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
40 kos - zaloga Nemčija (Samo do izteka zaloge)
Število
Min.: 3
Skupaj (0,57 € / Kos)
0,82 €
-30 %
1,71 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFR3410PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-252AA
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
31 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.039 Ω
- Način montaže
luknja za skoznik
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-252AA
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-252AA