Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
293 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
5,49 €
5
7% = 0,36 €
5,13 €
10
9% = 0,50 €
4,99 €
25
11% = 0,60 €
4,89 €
50
13% = 0,71 €
4,78 €
100
15% = 0,83 €
4,66 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (5,49 € / Kos)
5,49 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRLB4030PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
180 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.3 mΩ
- R(DS) nazivni tok
110 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
2.5 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) referenčna napetost
4.5 V
- C(ISS)
11360 pF
- C(ISS) referenčna napetost
50 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
logična nivojska vrata
- U(DSS)
100 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRLB4030PBF 1 N-kanal 370 W TO-220AB