Slika je simbolična
Slika je simbolična
MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on)
120 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
2464 kos - zaloga Nemčija (Samo do izteka zaloge)
Število
Skupaj (0,43 € / Kos)
0,90 €
-52 %
0,43 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
SI4948BEY-T1-E3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOIC-8
- Proizvajalec
Vishay
- Proizvajalec
VIS
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
2.4 A
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on)
120 mΩ
- R(DS) nazivni tok
3.1 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
3 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
22 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
TrenchFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
logična nivojska vrata
- U(DSS)
60 V
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8