Slika je simbolična
Slika je simbolična
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-kanal 830 mW TO-92-3
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-92-3
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
830 mW
R(DS)(on)
5 Ω
2197 kos - zaloga Nemčija (Samo do izteka zaloge)
Število
Skupaj (0,11 € / Kos)
0,23 €
-52 %
0,11 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-kanal 830 mW TO-92-3
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
BS170-D27Z
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-92-3
- Proizvajalec
ON Semiconductor
- Proizvajalec
OnS
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
500 mA
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
830 mW
- R(DS)(on)
5 Ω
- R(DS) nazivni tok
200 mA
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
3 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
1 mA
- C(ISS)
40 pF
- C(ISS) referenčna napetost
10 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
60 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 1263060 ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-kanal 830 mW TO-92-3
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Fairchild Semiconductor BS170_D27Z 1 N-kanal 830 mW TO-92-3