Slika je simbolična
Slika je simbolična
STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-kanal 75 W TO-220AB
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
75 W
R(DS)(on)
400 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
138 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
1,49 €
9
7% = 0,11 €
1,38 €
15
10% = 0,15 €
1,34 €
30
12% = 0,18 €
1,31 €
60
15% = 0,22 €
1,27 €
120
17% = 0,26 €
1,23 €
300
21% = 0,31 €
1,18 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (1,49 € / Kos)
4,47 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF630
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
STMicroelectronics
- Proizvajalec
STM
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
9 A
- U
200 V
- Moč (maks.) P(TOT)
75 W
- R(DS)(on)
400 mΩ
- R(DS) nazivni tok
4.5 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
45 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
700 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-65 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
MESH OVERLAY™ II
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
200 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Izvedba
N-kanal
- Vrsta
IRF 630
- Ohišje
TO 220 AB
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 155772 STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-kanal 75 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 155772 STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-kanal 75 W TO-220AB
Opis
Obseg dostave
- MOSFET STMicroelectronics IRF630 1 N-kanal 75 W TO-220AB