
Slika je simbolična
IRFB3207ZPBF
MOSFET
TO-220AB
Infineon Technologies
INF
N-kanal
120 A
75 V
300 W
4.1 mΩ
75 A
10 V
4 V
150 µA
170 nC
10 V
6920 pF
50 V
-55 °C
luknja za skoznik
HEXFET®
+175 °C
standardni
75 V
1
1 kos
Tehnični podatki 160925 MOSFET Infineon Technologies IRFB3207ZPBF 1 N-kanal 300 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost 160925 MOSFET Infineon Technologies IRFB3207ZPBF 1 N-kanal 300 W TO-220AB
Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano