Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 170 W D2PAK
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
0.06 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
10 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
10
-
3,29 €
30
8% = 0,25 €
3,04 €
50
10% = 0,34 €
2,95 €
100
12% = 0,41 €
2,88 €
200
15% = 0,48 €
2,81 €
400
17% = 0,57 €
2,72 €
1000
21% = 0,68 €
2,61 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 10
Skupaj (3,29 € / Kos)
32,90 €
z DDV
Na voljo samo 10 kos - zaloga Nemčija
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD napajalni MOSFET-ji posneti IRF_
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF5210SPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-38 A
- U
-100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
0.06 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 170 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 170 W D2PAK