Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-236-3
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
8 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
4737 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
30
-
0,08 €
150
12% = 0,01 €
0,07 €
300
25% = 0,02 €
0,06 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 30
Skupaj (0,08 € / Kos)
0,12 €
-33 %
2,40 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
BSS84P
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-236-3
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
170 mA
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
8 Ω
- R(DS) nazivni tok
170 mA
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
2 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
20 µA
- Q(G)
1.5 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
19 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
SIPMOS®
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
logična nivojska vrata
- U(DSS)
60 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies BSS84P 1 P-kanal 360 mW TO-236-3