Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
I-PAK
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
65 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
351 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
1,79 €
9
7% = 0,13 €
1,66 €
15
10% = 0,18 €
1,61 €
30
12% = 0,22 €
1,57 €
60
15% = 0,27 €
1,52 €
120
17% = 0,31 €
1,48 €
300
21% = 0,37 €
1,42 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (1,79 € / Kos)
5,37 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFU5305PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
I-PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
31 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
65 mΩ
- R(DS) nazivni tok
16 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
55 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-kanal 110 W I-PAK
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRFU5305PBF 1 N-kanal 110 W I-PAK