Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220AB
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
257 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
2,99 €
10
7% = 0,22 €
2,77 €
25
10% = 0,31 €
2,68 €
50
12% = 0,37 €
2,62 €
100
15% = 0,44 €
2,55 €
250
17% = 0,51 €
2,48 €
500
20% = 0,61 €
2,38 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (2,99 € / Kos)
2,99 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Moč MOSFET, N Kanal
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF3205
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
110 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
8 mΩ
- R(DS) nazivni tok
62 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
146 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
3247 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
55 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Izvedba
N-kanal
- Vrsta
IRF 3205
- Ohišje
TO 220 AB
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220AB
Opis
MOSFET-Tranzistor je napetostno krmiljena komponenta in se lahko priključijo direktno na visokoohmske izvore. Zaradi tega se največkrat uporabljajo kot stikala ali analogni ojačevalniki. Ta tranzistor je µC-, TTL- in CMOS-kompatibilni. Napotek: Proizvajalec SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF3205 1 N-kanal 200 W TO-263-3