Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
20 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
336 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
2,49 €
10
7% = 0,18 €
2,31 €
25
10% = 0,26 €
2,23 €
50
12% = 0,31 €
2,18 €
100
15% = 0,37 €
2,12 €
500
18% = 0,44 €
2,05 €
1000
20% = 0,51 €
1,98 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (2,49 € / Kos)
2,49 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Power MOSFET, P-kanal
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF4905PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
74 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
20 mΩ
- R(DS) nazivni tok
38 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
3400 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
55 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Izvedba
P-kanal
- Vrsta
IRF 4905
- Opis
-55 V/ -64 A
- Ohišje
TO 220
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162399 Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162399 Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF4905PBF 1 P-kanal 200 W TO-220