Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-220
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
100 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
835 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
5
-
0,81 €
15
7% = 0,06 €
0,75 €
25
10% = 0,08 €
0,73 €
50
12% = 0,10 €
0,71 €
100
15% = 0,12 €
0,69 €
200
17% = 0,14 €
0,67 €
500
21% = 0,17 €
0,64 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 5
Skupaj (0,81 € / Kos)
4,05 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Power MOSFET, P-kanal
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF9Z34N
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
19 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
100 mΩ
- R(DS) nazivni tok
10 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
620 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
55 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Izvedba
P-kanal
- Vrsta
IRF 9 Z 34 N
- Opis
-60 V/ -18 A
- Ohišje
TO 220
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162551 Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-220
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162551 Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-220
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34N 1 P-kanal 3.8 W TO-263-3