Slika je simbolična
Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-263-3
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
90 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
781 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 3
Skupaj (0,91 € / Kos)
2,73 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF530N
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-263-3
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
17 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
90 mΩ
- R(DS) nazivni tok
9 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
37 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
920 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
100 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162410 Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162410 Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3
Opis
Tranzistor MOSFET je napetostno nadzorovana komponenta in ga je mogoče neposredno priključiti na visokoodporne vire. Zato je primeren za uporabo kot stikalo ali analogni ojačevalnik. Opomba: Proizvajalec SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Besedilo je strojno prevedeno.
Besedilo je strojno prevedeno.
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRF530N 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3
Pogosto kupljeno skupaj
(*Vse informacije so plus pravni DDV) Priporočeni izdelki
Conrad Electronic
2,73 €*
Skupni znesek:
5,88 €*
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
