Slika je simbolična
Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-261-4
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
1.8 W
R(DS)(on)
45 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
2411 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 2
Skupaj (1,79 € / Kos)
3,58 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
BSP135H6327
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-261-4
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
120 mA
- U
600 V
- Moč (maks.) P(TOT)
1.8 W
- R(DS)(on)
45 Ω
- R(DS) nazivni tok
120 mA
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
1 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
94 µA
- Q(G)
4.9 nC
- Q(G) referenčna napetost
5 V
- C(ISS)
146 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
SIPMOS®
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
način sprejemanja
- U(DSS)
600 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Pogosto kupljeno skupaj
(*Vse informacije so plus pravni DDV) Priporočeni izdelki
Conrad Electronic
3,58 €*
Skupni znesek:
6,73 €*
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
