Slika je simbolična
Slika je simbolična
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-kanal 350 mW SOT-23-3
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOT-23-3
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
350 mW
R(DS)(on)
5 Ω
2256 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 30
Skupaj (0,07 € / Kos)
2,10 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-kanal 350 mW SOT-23-3
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
2N7002
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOT-23-3
- Proizvajalec
ON Semiconductor
- Proizvajalec
OnS
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
200 mA
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
350 mW
- R(DS)(on)
5 Ω
- R(DS) nazivni tok
500 mA
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
2.5 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- C(ISS)
50 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
STripFET™
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
60 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 1262896 ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-kanal 350 mW SOT-23-3
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Fairchild Semiconductor 2N7002 1 N-kanal 350 mW SOT-23-3