Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.1 W SOT-223
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOT-223
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.1 W
R(DS)(on)
0.065 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
27 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
0,99308 €
9
7% = 0,07 €
0,92307 €
15
10% = 0,10 €
0,89109 €
30
12% = 0,12 €
0,86984 €
60
15% = 0,15 €
0,84581 €
120
18% = 0,17 €
0,81919 €
300
21% = 0,20 €
0,78930 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (0,99308 € / Kos)
2,98 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD močnostni MOSFET-ji, posneti IRFL
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRLL2705PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOT-223
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
3.8 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.1 W
- R(DS)(on)
0.065 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.1 W SOT-223
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.1 W SOT-223