Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta embalaže
Tape on Full reel
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
6 W
Podatkovni list izdelka (PDF)
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
50
-
1,49 €
150
7% = 0,11 €
1,38 €
250
10% = 0,15 €
1,34 €
500
12% = 0,18 €
1,31 €
1000
15% = 0,22 €
1,27 €
2000
17% = 0,26 €
1,23 €
5000
21% = 0,31 €
1,18 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 50
Večkratni: 50
Tape on Full reel
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
Skupaj (1,49 € / Kos)
74,50 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta embalaže
Tape on Full reel
- Vrsta
SI4100DY-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOIC-8
- Proizvajalec
Vishay
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
6.8 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
6 W
- R(DS)(on)
0.084 Ω
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Delovna temperatura (maks.)
150 °C
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Višina
0.00 mm
- Dolžina
0 mm
- Širina
0.00 mm
- Teža
0
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026533 Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026533 Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 6 W SOIC-8 Tape on Full reel