Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta embalaže
Tape on Full reel
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
Podatkovni list izdelka (PDF)
24 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
0,87939 €
9
7% = 0,06 €
0,81739 €
15
10% = 0,09 €
0,78908 €
30
12% = 0,11 €
0,77026 €
60
15% = 0,13 €
0,74898 €
120
18% = 0,15 €
0,72541 €
300
21% = 0,18 €
0,69894 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Tape on Full reel
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
Skupaj (0,87939 € / Kos)
2,64 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Vishay SMD Power MOSFETs SI_Y-GE3 SO
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta embalaže
Tape on Full reel
- Vrsta
SI4559ADY-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOIC-8
- Proizvajalec
Vishay
- Izvedba
N-kanal
P-kanal
- I(d)
5.3 A
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.15 Ω
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Delovna temperatura (maks.)
150 °C
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
- Višina
0.00 mm
- Dolžina
0 mm
- Širina
0.00 mm
- Teža
0
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel