Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta embalaže
Tape on Full reel
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
Podatkovni list izdelka (PDF)
4550 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
50
-
0,68267 €
150
7% = 0,05 €
0,63454 €
250
10% = 0,07 €
0,61256 €
500
12% = 0,08 €
0,59795 €
1000
15% = 0,10 €
0,58143 €
2000
18% = 0,12 €
0,56313 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 50
Večkratni: 50
Tape on Full reel
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
Skupaj (0,68267 € / Kos)
34,13 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta embalaže
Tape on Full reel
- Vrsta
SI9933CDY-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOIC-8
- Proizvajalec
Vishay
- Izvedba
P-kanal
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.094 Ω
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Delovna temperatura (maks.)
175 °C
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
- Višina
0.00 mm
- Dolžina
0 mm
- Širina
0.00 mm
- Teža
0
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 P-kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel