Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W D2PAK
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.0084 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
10 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 10
Večkratni: 1
Skupaj (1,49 € / Kos)
14,90 €
z DDV
Na voljo samo 10 kos - zaloga Nemčija
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD napajalni MOSFET-ji posneti IRF_
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF1018ESPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
79 A
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.0084 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W D2PAK
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
