Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.023 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
20 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 10
Večkratni: 1
Skupaj (2,49 € / Kos)
24,90 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF3710SPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
57 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.023 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026452 Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026452 Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
