Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.023 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
20 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
10
-
1,99 €
30
7% = 0,14 €
1,85 €
50
10% = 0,20 €
1,79 €
100
13% = 0,25 €
1,74 €
200
15% = 0,30 €
1,69 €
400
18% = 0,35 €
1,64 €
1000
21% = 0,41 €
1,58 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 10
Skupaj (1,99 € / Kos)
19,90 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD napajalni MOSFET-ji posneti IRF_
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF3710SPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
57 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.023 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026452 Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026452 Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK