Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SO-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
6600 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
50
-
0,59116 €
150
6% = 0,04 €
0,55504 €
250
13% = 0,08 €
0,51579 €
500
15% = 0,09 €
0,50142 €
1000
18% = 0,11 €
0,48528 €
2000
21% = 0,12 €
0,46731 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 50
Večkratni: 50
Skupaj (0,59116 € / Kos)
29,56 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD napajalni MOSFET-ji posneti IRF_
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF7105PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SO-8
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
P-kanal
- I(d)
3.5 A
- U
25 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8