Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 P-kanal 2.0 W SO-8
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SO-8
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
22 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
1,28206 €
9
7% = 0,09 €
1,19167 €
15
10% = 0,13 €
1,15039 €
30
12% = 0,16 €
1,12296 €
60
15% = 0,19 €
1,09193 €
120
18% = 0,22 €
1,05757 €
300
21% = 0,26 €
1,01898 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (1,28206 € / Kos)
3,85 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD napajalni MOSFET-ji posneti IRF_
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF7306PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SO-8
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
P-kanal
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 P-kanal 2.0 W SO-8
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT MOSFET 2 P-kanal 2.0 W SO-8