Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SO-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
7 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
0,61482 €
9
6% = 0,04 €
0,57725 €
15
13% = 0,08 €
0,53643 €
30
15% = 0,09 €
0,52149 €
60
18% = 0,11 €
0,50471 €
120
21% = 0,13 €
0,48602 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (0,61482 € / Kos)
1,84 €
z DDV
Na voljo samo 7 kos - zaloga Nemčija
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF7343PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SO-8
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
P-kanal
- I(d)
4.7 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8