Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SO-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
7 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 3
Večkratni: 1
Skupaj (0,61482 € / Kos)
0,61 €
z DDV
Na voljo samo 7 kos - zaloga Nemčija
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF7343PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SO-8
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
P-kanal
- I(d)
4.7 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
