Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 79 W D2PAK
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
79 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
25 kos - zaloga Nemčija
Število
Skupaj (2,29 € / Kos)
2,29 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF9530NSPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-14 A
- U
-100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
79 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 79 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 79 W D2PAK
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
