Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 79 W D2PAK
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
79 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
25 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
1,99 €
10
7% = 0,14 €
1,85 €
25
10% = 0,20 €
1,79 €
50
13% = 0,25 €
1,74 €
100
15% = 0,30 €
1,69 €
500
18% = 0,35 €
1,64 €
1000
21% = 0,41 €
1,58 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (1,99 € / Kos)
1,99 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD napajalni MOSFET-ji posneti IRF_
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF9530NSPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-14 A
- U
-100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
79 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 79 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 79 W D2PAK