Slika je simbolična
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanal 190 W TO-220AB
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
190 W
R(DS)(on)
14 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
171 kos - zaloga Nemčija (Samo do izteka zaloge)
Število
Skupaj (1,29 € / Kos)
2,49 €
-48 %
1,29 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanal 190 W TO-220AB
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFB4610PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
73 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
190 W
- R(DS)(on)
14 mΩ
- R(DS) nazivni tok
44 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
100 µA
- Q(G)
140 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
3550 pF
- C(ISS) referenčna napetost
50 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
100 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanal 190 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanal 190 W TO-220AB
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRFB4610PBF 1 N-kanal 190 W TO-220AB
Pogosto kupljeno skupaj
(*Vse informacije so plus pravni DDV) Priporočeni izdelki
-48%
Conrad Electronic
2,49 €
1,29 €*
Skupni znesek:
5,64 €4,44 €*
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
