Infineon Technologies IRFL014NPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.1 W SOT-223
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOT-223
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.1 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
4 kos - zaloga Nemčija (Samo do izteka zaloge)
Število
Min.: 3
Večkratni: 1
Skupaj (0,54232 € / Kos)
0,79 €
-31 %
0,54 €
z DDV
Na voljo samo 4 kos - zaloga Nemčija
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFL014NPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOT-223
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
2.70 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.1 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026455 Infineon Technologies IRFL014NPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.1 W SOT-223
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026455 Infineon Technologies IRFL014NPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.1 W SOT-223
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
