Slika je simbolična
Slika je simbolična
Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-247
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
130 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
2,99 €
10
7% = 0,22 €
2,77 €
25
10% = 0,31 €
2,68 €
50
12% = 0,37 €
2,62 €
100
15% = 0,44 €
2,55 €
250
17% = 0,51 €
2,48 €
500
20% = 0,61 €
2,38 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (2,99 € / Kos)
2,99 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFP064NPBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-247
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
110 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
8 mΩ
- R(DS) nazivni tok
59 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
170 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
4000 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
55 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
Opis
Tranzistor MOSFET je napetostno nadzorovana komponenta in ga je mogoče neposredno priključiti na visokoodporne vire. Zato je primeren za uporabo kot stikalo ali analogni ojačevalnik. Ta tranzistor je združljiv z µC, TTL in CMOS. Opomba: Proizvajalec SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Besedilo je strojno prevedeno.
Besedilo je strojno prevedeno.
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRFP064NPBF 1 N-kanal 200 W TO-247