Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 110 W TO-252AA
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-252AA
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.065 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
56 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
3
-
1,27714 €
9
7% = 0,09 €
1,18710 €
15
10% = 0,13 €
1,14598 €
30
12% = 0,16 €
1,11865 €
60
15% = 0,19 €
1,08774 €
120
18% = 0,22 €
1,05351 €
300
21% = 0,26 €
1,01507 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 3
Skupaj (1,27714 € / Kos)
3,83 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD močnostni MOSFET-ji, posneti IRFR
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFR5305PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-252AA
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-31 A
- U
-55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.065 Ω
- Način montaže
luknja za skoznik
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 110 W TO-252AA
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 110 W TO-252AA