Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-252AA
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
66 W
R(DS)(on)
0.205 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
3600 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 50
Večkratni: 50
Skupaj (1,12192 € / Kos)
1,12 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFR5410PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-252AA
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-13 A
- U
-100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
66 W
- R(DS)(on)
0.205 Ω
- Način montaže
luknja za skoznik
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
