Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-252AA
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
66 W
R(DS)(on)
0.205 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
3750 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
50
-
1,12192 €
150
7% = 0,08 €
1,04282 €
250
10% = 0,12 €
1,00670 €
500
12% = 0,14 €
0,98269 €
1000
15% = 0,17 €
0,95554 €
2000
18% = 0,20 €
0,92547 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 50
Večkratni: 50
Skupaj (1,12192 € / Kos)
56,10 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD močnostni MOSFET-ji, posneti IRFR
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFR5410PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-252AA
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-13 A
- U
-100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
66 W
- R(DS)(on)
0.205 Ω
- Način montaže
luknja za skoznik
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA