Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
D2PAK
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.04 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
1900 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
10
-
2,29 €
30
7% = 0,16 €
2,13 €
50
10% = 0,24 €
2,05 €
100
12% = 0,28 €
2,01 €
200
15% = 0,34 €
1,95 €
400
17% = 0,40 €
1,89 €
1000
21% = 0,47 €
1,82 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 10
Večkratni: 10
Skupaj (2,29 € / Kos)
22,90 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRL2910SPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
D2PAK
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
55 A
- U
100 V
- Moč (maks.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.04 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK