Infineon Technologies IRLR2905ZPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-252AA
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-252AA
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.0225 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
20 kos - zaloga Nemčija
Število
Skupaj (2,29 € / Kos)
2,29 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
INFI SMD močnostni MOSFET-ji, posneti IRFR
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRLR2905ZPBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-252AA
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
42 A
- U
55 V
- Moč (maks.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.0225 Ω
- Način montaže
luknja za skoznik
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- UKCA
da
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026307 Infineon Technologies IRLR2905ZPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-252AA
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026307 Infineon Technologies IRLR2905ZPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-252AA
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
