Slika je simbolična
Slika je simbolična
MOSFET Infineon Technologies IRFB7530PBF 1 N-kanal 375 W TO-220AB
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220AB
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
2 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
160 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
10
-
3,79 €
30
7% = 0,28 €
3,51 €
50
11% = 0,40 €
3,39 €
100
12% = 0,47 €
3,32 €
200
15% = 0,56 €
3,23 €
400
17% = 0,65 €
3,14 €
1000
21% = 0,78 €
3,01 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 10
Skupaj (3,79 € / Kos)
37,90 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-kanal 375 W TO-220AB
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRFB7530PBF
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220AB
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Proizvajalec
INF
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
195 A
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
2 mΩ
- R(DS) nazivni tok
100 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
3.7 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
411 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
13703 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
HEXFET®
StrongIRFET™
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
60 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 564040 MOSFET Infineon Technologies IRFB7530PBF 1 N-kanal 375 W TO-220AB
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 564040 MOSFET Infineon Technologies IRFB7530PBF 1 N-kanal 375 W TO-220AB
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Infineon Technologies IRFB7530PBF 1 N-kanal 375 W TO-220AB