Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta embalaže
Tape on Full reel
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
6.6 W
Podatkovni list izdelka (PDF)
2200 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
25
-
1,99 €
75
7% = 0,14 €
1,85 €
125
10% = 0,20 €
1,79 €
250
13% = 0,25 €
1,74 €
500
15% = 0,30 €
1,69 €
1000
18% = 0,35 €
1,64 €
2500
21% = 0,41 €
1,58 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 25
Večkratni: 25
Tape on Full reel
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
Skupaj (1,99 € / Kos)
49,75 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta embalaže
Tape on Full reel
- Vrsta
SI4477DY-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOIC-8
- Proizvajalec
Vishay
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-26.6 A
- U
-20 V
- Moč (maks.) P(TOT)
6.6 W
- R(DS)(on)
0.0105 Ω
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Delovna temperatura (maks.)
150 °C
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Višina
0.00 mm
- Dolžina
0 mm
- Širina
0.00 mm
- Teža
0
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel