Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Vrsta embalaže
Tape on Full reel
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
6.6 W
Podatkovni list izdelka (PDF)
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Število
Min.: 25
Večkratni: 25
Tape on Full reel
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
Skupaj (1,99 € / Kos)
1,99 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta embalaže
Tape on Full reel
- Vrsta
SI4477DY-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOIC-8
- Proizvajalec
Vishay
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
-26.6 A
- U
-20 V
- Moč (maks.) P(TOT)
6.6 W
- R(DS)(on)
0.0105 Ω
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Delovna temperatura (maks.)
150 °C
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
- Višina
0.00 mm
- Dolžina
0 mm
- Širina
0.00 mm
- Teža
0
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
