Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta embalaže
Tape on Full reel
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
1.78 W
Podatkovni list izdelka (PDF)
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
50
-
0,93555 €
150
7% = 0,07 €
0,86959 €
250
10% = 0,10 €
0,83947 €
500
12% = 0,12 €
0,81945 €
1000
15% = 0,14 €
0,79681 €
2000
18% = 0,16 €
0,77174 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Min.: 50
Večkratni: 50
Tape on Full reel
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
kos - zaloga Nemčija (Vsebina: )
Skupaj (0,93555 € / Kos)
46,78 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
Vishay SMD Power MOSFETs SI_Y-GE3 SO
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta embalaže
Tape on Full reel
- Vrsta
SI4532CDY-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOIC-8
- Proizvajalec
Vishay
- Izvedba
N-kanal
P-kanal
- I(d)
6 A
- U
30 V
- Moč (maks.) P(TOT)
1.78 W
- R(DS)(on)
0.14 Ω
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Delovna temperatura (maks.)
150 °C
- Kanali
2
- Vsebina
1 kos
- Višina
0.00 mm
- Dolžina
0 mm
- Širina
0.00 mm
- Teža
0
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel