Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.0 W SO-8
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SO-8
Izvedba
N-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.0155 Ω
Podatkovni list izdelka (PDF)
21 kos - zaloga Nemčija
Število
Min.: 3
Večkratni: 1
Skupaj (1,07663 € / Kos)
3,23 €
z DDV
Vključena je 14-dnevna politika vračila
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
IRF8313PBF-GURT
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SO-8
- Proizvajalec
Infineon Technologies
- Izvedba
N-kanal
- I(d)
9.7 A
- U
30 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.0155 Ω
- Način montaže
površinska montaža
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.0 W SO-8
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.0 W SO-8
Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?
Dodatki
(*Vse informacije so plus pravni DDV)Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano
