• Platform for Everything Technical
  • Hitra dostava
  • Velika izbira
  • Zagotovljena pravica do vračila

MOSFET Fairchild Semiconductor FDS8858CZ 1 N-kanal, P-kanal 900 mW SOIC-8

Slika je simbolična
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOIC-8
Izvedba
N-kanal
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
900 mW
R(DS)(on)
17 mΩ
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Dostava pet.,6.11.

10 kos - zaloga Nemčija

Število
Skupaj (1,29 € / Kos)
1,29 €
pravd.Tax.Untaxed z DDV 
poštnina ni vključena 6,00 € 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
brez nadaljnjih stroškov pošiljanja 
Na voljo samo 10 kos - zaloga Nemčija
Vključena je 14-dnevna politika vračila

Poudarki in podrobnosti

ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-kanal, P-kanal 900 mW SOIC-8

Dodatne informacije

Tehnične specifikacije

Vrsta

FDS8858CZ

Vrsta izdelka

MOSFET

Ohišje

SOIC-8

Proizvajalec

ON Semiconductor

Proizvajalec

OnS

Izvedba

N-kanal

P-kanal

I(d)

8.6 A

7.3 A

U

30 V

Moč (maks.) P(TOT)

900 mW

R(DS)(on)

17 mΩ

R(DS) nazivni tok

8.6 A

R(DS) referenčna napetost

10 V

U(GS)(th) maks.

3 V

U(GS) (th) referenčni tok maks.

250 µA

Q(G)

24 nC

Q(G) referenčna napetost

10 V

C(ISS)

1205 pF

C(ISS) referenčna napetost

15 V

Delovna temperatura min.

-55 °C

Način montaže

površinska montaža

Serija

PowerTrench®

Delovna temperatura (maks.)

+150 °C

Značilnost tranzistorja

logična nivojska vrata

U(DSS)

30 V

Kanali

1

Vsebina

1 kos

Dokumenti in prenosi

Navodila za uporabo in varnost

Navodila za uporabo in varnost 1263964 MOSFET Fairchild Semiconductor FDS8858CZ 1 N-kanal, P-kanal 900 mW SOIC-8

Opis

Obseg dostave

  • MOSFET Fairchild Semiconductor FDS8858CZ 1 N-kanal, P-kanal 900 mW SOIC-8

Pogosto kupljeno skupaj

(*Vse informacije so plus pravni DDV)
Skupni znesek:

4,44 €*

Kakšno MOSFET tranzistorji iščete?

Dodatki

(*Vse informacije so plus pravni DDV)

Za uporabo članka so potrebni potrebni dodatki, kot je opisano

Zanimivi izdelki

(*Vse informacije so plus pravni DDV)