Slika je simbolična
Slika je simbolična
MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
SOT-23-3
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
2.3 W
R(DS)(on)
190 mΩ
Podatkovni list izdelka (PDF)
2877 kos - zaloga Nemčija (Samo do izteka zaloge)
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
0,79 €
10
8% = 0,06 €
0,73 €
25
10% = 0,08 €
0,71 €
50
13% = 0,10 €
0,69 €
100
15% = 0,12 €
0,67 €
500
18% = 0,14 €
0,65 €
1000
20% = 0,16 €
0,63 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (0,79 € / Kos)
0,79 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
MOSFET
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
SI2303CDS-T1-GE3
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
SOT-23-3
- Proizvajalec
Vishay
- Proizvajalec
VIS
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
2.7 A
- U
30 V
- Moč (maks.) P(TOT)
2.3 W
- R(DS)(on)
190 mΩ
- R(DS) nazivni tok
1.9 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
3 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
8 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
155 pF
- C(ISS) referenčna napetost
15 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
površinska montaža
- Serija
TrenchFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+150 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
30 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Tehnični podatki
Tehnični podatki 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3