Slika je simbolična
Slika je simbolična
ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-kanal 120 W TO-220-3
Ean:
Koda proizvajalca:
Št. izdelka:
Vrsta izdelka
MOSFET
Ohišje
TO-220-3
Izvedba
P-kanal
Moč (maks.) P(TOT)
120 W
R(DS)(on)
70 mΩ
145 kos - zaloga Nemčija
Kos (kos - zaloga Nemčija)
Prihranite
Cena embalaže (z DDV)
1
-
4,29 €
10
7% = 0,32 €
3,97 €
25
10% = 0,45 €
3,84 €
50
12% = 0,53 €
3,76 €
100
15% = 0,63 €
3,66 €
250
17% = 0,74 €
3,55 €
500
21% = 0,88 €
3,41 €
Količinski popusti - namig za prihranek
Prihranite 0,00 €
Število
Skupaj (4,29 € / Kos)
4,29 €
z DDV
Poudarki in podrobnosti
ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-kanal 120 W TO-220-3
Dodatne informacije
Tehnične specifikacije
- Vrsta
FQP27P06
- Vrsta izdelka
MOSFET
- Ohišje
TO-220-3
- Proizvajalec
ON Semiconductor
- Proizvajalec
OnS
- Izvedba
P-kanal
- I(d)
27 A
- U
60 V
- Moč (maks.) P(TOT)
120 W
- R(DS)(on)
70 mΩ
- R(DS) nazivni tok
13.5 A
- R(DS) referenčna napetost
10 V
- U(GS)(th) maks.
4 V
- U(GS) (th) referenčni tok maks.
250 µA
- Q(G)
43 nC
- Q(G) referenčna napetost
10 V
- C(ISS)
1400 pF
- C(ISS) referenčna napetost
25 V
- Delovna temperatura min.
-55 °C
- Način montaže
luknja za skoznik
- Serija
QFET®
- Delovna temperatura (maks.)
+175 °C
- Značilnost tranzistorja
standardni
- U(DSS)
60 V
- Kanali
1
- Vsebina
1 kos
Dokumenti in prenosi
Navodila za uporabo in varnost
Navodila za uporabo in varnost 1264194 ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-kanal 120 W TO-220-3
Opis
Obseg dostave
- MOSFET Fairchild Semiconductor FQP27P06 1 P-kanal 120 W TO-220-3